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字号+作者: 来源:大学生澳门永久娱乐网站网 2020-03-21 12:07:26 我要评论() 收藏成功收藏本文

闪存技术正在发展。最近,齐志和武德曼联合开发并推出了新一代闪存双室,包括TLC和QLC闪存,最高密度为1.33tbqlc闪存。最初的512GB核心TLC将开始批

闪存技术正在发展。最近,齐志和武德曼联合开发并推出了新一代闪存双室,包括TLC和QLC闪存,最高密度为1.33tbqlc闪存。最初的512GB核心TLC将开始批量生产,预计将在2020年下半年大规模生产,岩手和岩手工作室将被列为主要生产工厂。

负责存储芯片技术和制造的高级副总裁stevepaak博士说,随着我们进入下一个十年,一种新型的3D闪存对于持续满足对数据容量和速率的需求至关重要,而双5的成功开发反映了西方存储技术的领先地位和路线图的有力实施。

据报道,最先进、最密集的3dnandflash双5闪存通过第二代多层存储孔和改进技术提高了存储芯片的水平存储密度,在原有96层堆叠单元4的基础上,存储容量提高了40%,IO性能提高了50%,成本得到了优化。

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